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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -1A; Idm: -2A; 1W; SOT23


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Información de productos
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -1A; Idm: -2A; 1W; SOT23
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -1A; Idm: -2A; 1W; SOT23
N.º art.:
     6Q9VB-SQ2325ES-T1-GE3
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SQ2325ES-T1_GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Fabricante: VISHAY
Montaje: SMD
Carcasa: SOT23
Tensión drenaje-fuente: -150V
Corriente del drenaje: -1A
Resistencia en estado de transferencia: 4,4Ω
Tipo de transistor: P-MOSFET
Uso: rama automotriz
Poder disipado: 1W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Precio unitario: No
Carga de puerta: 10nC
#Acciones #promocionales: aac_202202
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: -2A
Resumen de condiciones1
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