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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -10A; Idm: -30A; 1W; uDFN6; ESD


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Información de productos
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -10A; Idm: -30A; 1W; uDFN6; ESD
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -10A; Idm: -30A; 1W; uDFN6; ESD
N.º art.:
     6Q9VB-SSM6J501NU
Fabricante:
     Toshiba
N.º fabricante:
     SSM6J501NU,LF
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Fabricante: TOSHIBA
Montaje: SMD
Carcasa: uDFN6
Tensión drenaje-fuente: -20V
Corriente del drenaje: -10A
Resistencia en estado de transferencia: 43mΩ
Tipo de transistor: P-MOSFET
Poder disipado: 1W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Precio unitario: No
Versión: ESD
Carga de puerta: 29,9nC
#Acciones #promocionales: aac_202202
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±8V
Corriente del drenaje en impulso: -30A
Resumen de condiciones1
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* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
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