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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 9A; Idm: 18A; 1,25W; uDFN6; ESD


Cantidad:  envase  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-SSM6K504NU
Fabricante:
     Toshiba
N.º fabricante:
     SSM6K504NU,LF(T
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistor SMD
Fabricante: TOSHIBA
Montaje: SMD
Carcasa: uDFN6
Tensión drenaje-fuente: 30V
Corriente del drenaje: 9A
Resistencia en estado de transferencia: 26mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 1,25W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Precio unitario: No
Versión: ESD
Carga de puerta: 4,8nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: 18A
Otros conceptos de búsqueda: Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd
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