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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 48A; 110W; I2PAK


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-STI18N65M2
Fabricante:
     ST Microelectronics
N.º fabricante:
     STI18N65M2
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistores
Fabricante: STMicroelectronics
Montaje: THT
Carcasa: I2PAK
Tensión drenaje-fuente: 650V
Corriente del drenaje: 12A
Resistencia en estado de transferencia: 0,33Ω
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 110W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: tubo
Precio unitario: No
Carga de puerta: 20nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±25V
Corriente del drenaje en impulso: 48A
Otros conceptos de búsqueda: Transistor
Resumen de condiciones1
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