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Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 600V; 6,3A; Idm: 40A


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-STP11N60DM2
Fabricante:
     ST Microelectronics
N.º fabricante:
     STP11N60DM2
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistores
Fabricante: STMicroelectronics
Montaje: THT
Carcasa: TO220-3
Tensión drenaje-fuente: 600V
Corriente del drenaje: 6,3A
Resistencia en estado de transferencia: 0,42Ω
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 110W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: tubo
Precio unitario: No
Carga de puerta: 16,5nC
Tecnología: MDmesh™ DM2
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±25V
Corriente del drenaje en impulso: 40A
Otros conceptos de búsqueda: Transistor
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* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
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