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Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M2; unipolar; 600V; 7,6A; Idm: 48A


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-STP16N60M2
Fabricante:
     ST Microelectronics
N.º fabricante:
     STP16N60M2
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistores
Fabricante: STMicroelectronics
Montaje: THT
Carcasa: TO220-3
Tensión drenaje-fuente: 600V
Corriente del drenaje: 7,6A
Resistencia en estado de transferencia: 0,32Ω
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 110W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: tubo
Carga de puerta: 19nC
Tecnología: MDmesh™ M2
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±25V
Corriente del drenaje en impulso: 48A
Otros conceptos de búsqueda: Transistor, transistor mosfet
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