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Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 8,2A; Idm: 38A


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-STP18N60M6
Fabricante:
     ST Microelectronics
N.º fabricante:
     STP18N60M6
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistores
Fabricante: STMicroelectronics
Montaje: THT
Carcasa: TO220-3
Tensión drenaje-fuente: 600V
Corriente del drenaje: 8,2A
Resistencia en estado de transferencia: 0,28Ω
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 110W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: tubo
Carga de puerta: 16,8nC
Tecnología: MDmesh™ M6
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±25V
Corriente del drenaje en impulso: 38A
Otros conceptos de búsqueda: Transistor, transistor mosfet
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