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Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 8,2A; Idm: 52A


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Información de productos
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N.º art.:
     6Q9VB-STP18NM60N
Fabricante:
     ST Microelectronics
N.º fabricante:
     STP18NM60N
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Fabricante: STMicroelectronics
Montaje: THT
Carcasa: TO220-3
Tensión drenaje-fuente: 600V
Corriente del drenaje: 8,2A
Resistencia en estado de transferencia: 0,285Ω
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 110W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: tubo
Carga de puerta: 35nC
Tecnología: MDmesh™ ||
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±25V
Corriente del drenaje en impulso: 52A
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Accesorios
Los siguientes accesorios pueden encontrarse en nuestro surtido:
Tipo
Imagen
Artículo
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Precio
Accesorios
BERGQUIST 3223-07FR-43 SIL-PAD, 400,.007 inch, TO-220,
Bergquist
3223-07FR-43
a partir de € 4,30*
Accesorios
BERGQUIST HF300P-0.0015-00-4/4 HI-FLOW 300P, .0015 inch, 4 inchX4 inch SHEET
Bergquist
HF300P-0.0015-00-4/4
a partir de € 7,90*
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