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Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 100V; 120A; Idm: 720A


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-STP315N10F7
Fabricante:
     ST Microelectronics
N.º fabricante:
     STP315N10F7
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistores
Fabricante: STMicroelectronics
Montaje: THT
Carcasa: TO220-3
Tensión drenaje-fuente: 100V
Corriente del drenaje: 120A
Resistencia en estado de transferencia: 2,7mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 315W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: tubo
Carga de puerta: 180nC
Tecnología: STripFET™ F7
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: 720A
Otros conceptos de búsqueda: Transistor, transistor mosfet
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Nuestra oferta se orienta exclusivamente a empresas, profesionales y autónomos.