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Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 19A; Idm: 102A


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Información de productos
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 19A; Idm: 102A
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ M6; unipolar; 600V; 19A; Idm: 102A
N.º art.:
     6Q9VB-STP36N60M6
Fabricante:
     ST Microelectronics
N.º fabricante:
     STP36N60M6
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Fabricante: STMicroelectronics
Montaje: THT
Carcasa: TO220-3
Tensión drenaje-fuente: 600V
Corriente del drenaje: 19A
Resistencia en estado de transferencia: 99mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 208W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: tubo
Carga de puerta: 44,3nC
Tecnología: MDmesh™ M6
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±25V
Corriente del drenaje en impulso: 102A
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