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Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 600V; 19A; Idm: 95A


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Información de productos
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 600V; 19A; Idm: 95A
Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 600V; 19A; Idm: 95A
N.º art.:
     6Q9VB-STW45N60DM6
Fabricante:
     ST Microelectronics
N.º fabricante:
     STW45N60DM6
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Fabricante: STMicroelectronics
Montaje: THT
Carcasa: TO247
Tensión drenaje-fuente: 600V
Corriente del drenaje: 19A
Resistencia en estado de transferencia: 99mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 210W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: tubo
Carga de puerta: 44nC
Tecnología: MDmesh™ DM6
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±25V
Corriente del drenaje en impulso: 95A
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