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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 33A; Idm: 208A; 350W; TO247-4


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Información de productos
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N.º art.:
     6Q9VB-STW56N60M2-4
Fabricante:
     ST Microelectronics
N.º fabricante:
     STW56N60M2-4
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Fabricante: STMicroelectronics
Montaje: THT
Carcasa: TO247-4
Tensión drenaje-fuente: 650V
Corriente del drenaje: 33A
Resistencia en estado de transferencia: 45mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 350W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: tubo
Precio unitario: No
Carga de puerta: 91nC
#Acciones #promocionales: aac_202202
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±25V
Corriente del drenaje en impulso: 208A
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