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Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 600V; 29A; Idm: 140A


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-STW65N60DM6
Fabricante:
     ST Microelectronics
N.º fabricante:
     STW65N60DM6
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistores
Fabricante: STMicroelectronics
Montaje: THT
Carcasa: TO247
Tensión drenaje-fuente: 600V
Corriente del drenaje: 29A
Resistencia en estado de transferencia: 71mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 368W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: tubo
Carga de puerta: 65,2nC
Tecnología: MDmesh™ DM6
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±25V
Corriente del drenaje en impulso: 140A
Otros conceptos de búsqueda: Transistor, transistor mosfet
Resumen de condiciones1
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