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Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM6; unipolar; 650V; 18A; Idm: 112A


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-STWA30N65DM6AG
Fabricante:
     ST Microelectronics
N.º fabricante:
     STWA30N65DM6AG
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistores
Fabricante: STMicroelectronics
Montaje: THT
Carcasa: TO247
Tensión drenaje-fuente: 650V
Corriente del drenaje: 18A
Resistencia en estado de transferencia: 0,11Ω
Tipo de transistor: N-MOSFET
Uso: rama automotriz
Poder disipado: 284W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: tubo
Precio unitario: No
Carga de puerta: 46nC
Tecnología: MDmesh™ DM6
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±25V
Corriente del drenaje en impulso: 112A
Otros conceptos de búsqueda: Transistor
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* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
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