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Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ DM2; unipolar; 650V; 24A; Idm: 110A


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-STWA50N65DM2AG
Fabricante:
     ST Microelectronics
N.º fabricante:
     STWA50N65DM2AG
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistores
Fabricante: STMicroelectronics
Montaje: THT
Carcasa: TO247
Tensión drenaje-fuente: 650V
Corriente del drenaje: 24A
Resistencia en estado de transferencia: 70mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Uso: rama automotriz
Poder disipado: 300W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: tubo
Carga de puerta: 69nC
Tecnología: MDmesh™ DM2
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±25V
Corriente del drenaje en impulso: 110A
Otros conceptos de búsqueda: Transistor, transistor mosfet
Resumen de condiciones1
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