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Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -100V; -8,8A; Idm: -15A


Cantidad:  envase  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-SUD09P10-195-BE3
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SUD09P10-195-BE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Fabricante: VISHAY
Montaje: SMD
Carcasa: DPAK;TO252
Tensión drenaje-fuente: -100V
Corriente del drenaje: -8,8A
Resistencia en estado de transferencia: 0,21Ω
Tipo de transistor: P-MOSFET
Poder disipado: 32,1W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Precio unitario: No
Carga de puerta: 34,8nC
Tecnología: TrenchFET®
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: -15A
Resumen de condiciones1
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Precio
a partir de € 994,06*
  
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por envase
a partir de 500 envases
€ 994,06*
€ 1.202,8126
por envase
* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
Nuestra oferta se orienta exclusivamente a empresas, profesionales y autónomos.