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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8,8A; Idm: -15A; 32,1W


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Información de productos
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8,8A; Idm: -15A; 32,1W
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8,8A; Idm: -15A; 32,1W
N.º art.:
     6Q9VB-SUD09P10-195-GE3
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SUD09P10-195-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Diodos
Diodo
Transistor IGBT
Transistor de potencia
Fabricante: VISHAY
Montaje: SMD
Carcasa: DPAK;TO252
Tensión drenaje-fuente: -100V
Corriente del drenaje: -8,8A
Resistencia en estado de transferencia: 0,195Ω
Tipo de transistor: P-MOSFET
Poder disipado: 32,1W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Precio unitario: No
Carga de puerta: 34,8nC
#Acciones #promocionales: aac_202202
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: -15A
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