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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 120A; Idm: 300A


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Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-SUM50020E-GE3
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SUM50020E-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistor SMD
Fabricante: VISHAY
Montaje: SMD
Carcasa: TO263
Tensión drenaje-fuente: 60V
Corriente del drenaje: 120A
Resistencia en estado de transferencia: 2,4mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 375W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Precio unitario: No
Carga de puerta: 128nC
Tecnología: TrenchFET®
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: 300A
Otros conceptos de búsqueda: Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd
Resumen de condiciones1
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€ 4,17*
€ 5,0457
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* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
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