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Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 131A; Idm: 240A


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Información de productos
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N.º art.:
     6Q9VB-SUM70060E-GE3
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SUM70060E-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor IGBT
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Fabricante: VISHAY
Montaje: SMD
Carcasa: TO263
Tensión drenaje-fuente: 100V
Corriente del drenaje: 131A
Resistencia en estado de transferencia: 6,2mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 375W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Carga de puerta: 81nC
Tecnología: TrenchFET®
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: 240A
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