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Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -60A; Idm: -120A; 100W; DPAK


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-TJ60S06M3L
Fabricante:
     Toshiba
N.º fabricante:
     TJ60S06M3L(T6L1,NQ
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
transistor mosfet
Fabricante: TOSHIBA
Montaje: SMD
Carcasa: DPAK
Tensión drenaje-fuente: -60V
Corriente del drenaje: -60A
Resistencia en estado de transferencia: 14,5mΩ
Tipo de transistor: P-MOSFET
Poder disipado: 100W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Propiedades de elementos semiconductores: ESD protected gate
Carga de puerta: 156nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: -20...10V
Corriente del drenaje en impulso: -120A
Resumen de condiciones1
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* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
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