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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30,8A; 240W; DFN; 8x8mm


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Información de productos
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30,8A; 240W; DFN; 8x8mm
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30,8A; 240W; DFN; 8x8mm
N.º art.:
     6Q9VB-TK31V60W5
Fabricante:
     Toshiba
N.º fabricante:
     TK31V60W5,LVQ(S
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistor SMD
Fabricante: TOSHIBA
Montaje: SMD
Carcasa: DFN
Tensión drenaje-fuente: 600V
Corriente del drenaje: 30,8A
Resistencia en estado de transferencia: 109mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 240W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Medidas: 8x8mm
Carga de puerta: 105nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±30V
Otros conceptos de búsqueda: Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd
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