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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5,8A; Idm: 23,2A; 60W; IPAK


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-TK6Q65W
Fabricante:
     Toshiba
N.º fabricante:
     TK6Q65W,S1Q(S
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistores
Fabricante: TOSHIBA
Montaje: THT
Carcasa: IPAK
Tensión drenaje-fuente: 650V
Corriente del drenaje: 5,8A
Resistencia en estado de transferencia: 0,89Ω
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 60W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: tubo
Carga de puerta: 11nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±30V
Corriente del drenaje en impulso: 23,2A
Otros conceptos de búsqueda: Transistor, transistor mosfet
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