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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 10A; 19W; PDFN56U


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-TQM150NB04CR-RLG
Fabricante:
     Taiwan Semiconductor
N.º fabricante:
     TQM150NB04CR RLG
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Fabricante: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Montaje: SMD
Carcasa: PDFN56U
Tensión drenaje-fuente: 40V
Corriente del drenaje: 10A
Resistencia en estado de transferencia: 26mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 19W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta
Precio unitario: No
Carga de puerta: 20nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
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