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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 700mA; 39W; DPAK


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Información de productos
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 700mA; 39W; DPAK
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 700mA; 39W; DPAK
N.º art.:
     6Q9VB-TSM1NB60CP-ROG
Fabricante:
     Taiwan Semiconductor
N.º fabricante:
     TSM1NB60CP ROG
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Fabricante: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Montaje: SMD
Carcasa: DPAK
Tensión drenaje-fuente: 600V
Corriente del drenaje: 0,7A
Resistencia en estado de transferencia: 10Ω
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 39W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta
Precio unitario: No
Carga de puerta: 6,1nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±30V
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