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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4,9A; 800mW; SOT23


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Información de productos
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4,9A; 800mW; SOT23
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4,9A; 800mW; SOT23
N.º art.:
     6Q9VB-TSM2314CX-RFG
Fabricante:
     Taiwan Semiconductor
N.º fabricante:
     TSM2314CX RFG
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Fabricante: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Montaje: SMD
Carcasa: SOT23
Tensión drenaje-fuente: 20V
Corriente del drenaje: 4,9A
Resistencia en estado de transferencia: 33mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 0,8W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta
Precio unitario: No
Carga de puerta: 14nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±12V
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