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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10,8A; 150,6W; TO220-3


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-TSM60NB190CZ-C0G
Fabricante:
     Taiwan Semiconductor
N.º fabricante:
     TSM60NB190CZ C0G
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistores
Fabricante: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Montaje: THT
Carcasa: TO220-3
Tensión drenaje-fuente: 600V
Corriente del drenaje: 10,8A
Resistencia en estado de transferencia: 0,19Ω
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 150,6W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: tubo
Precio unitario: No
Carga de puerta: 31nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±30V
Otros conceptos de búsqueda: Transistor
Resumen de condiciones1
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* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
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