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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 1,8A; 28,4W; IPAK


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-TSM60NB1R4CH-C5G
Fabricante:
     Taiwan Semiconductor
N.º fabricante:
     TSM60NB1R4CH C5G
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistores
Fabricante: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Montaje: THT
Carcasa: IPAK
Tensión drenaje-fuente: 600V
Corriente del drenaje: 1,8A
Resistencia en estado de transferencia: 1,4Ω
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 28,4W
Polarización: unipolar
Carga de puerta: 7,12nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±30V
Otros conceptos de búsqueda: Transistor, transistor mosfet
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