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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 24A; 89W; ITO220AB


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-TSM60NE069CIT-C0G
Fabricante:
     Taiwan Semiconductor
N.º fabricante:
     TSM60NE069CIT C0G
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistores
Fabricante: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Montaje: THT
Carcasa: ITO220AB
Tensión drenaje-fuente: 600V
Corriente del drenaje: 24A
Resistencia en estado de transferencia: 69mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 89W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: tubo
Precio unitario: No
Carga de puerta: 89nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±30V
Otros conceptos de búsqueda: Transistor
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