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Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1,5A; Idm: 3A; 1W; TUMT6


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-US6K4TR
Fabricante:
     ROHM Semiconductor
N.º fabricante:
     US6K4TR
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistor SMD
Fabricante: ROHM SEMICONDUCTOR
Montaje: SMD
Carcasa: TUMT6
Tensión drenaje-fuente: 20V
Corriente del drenaje: 1,5A
Resistencia en estado de transferencia: 0,31Ω
Tipo de transistor: N-MOSFET x2
Poder disipado: 1W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Propiedades de elementos semiconductores: ESD protected gate
Carga de puerta: 1,8nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±10V
Corriente del drenaje en impulso: 3A
Otros conceptos de búsqueda: Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd
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