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Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-12V; 1,5/-1,3A; Idm: 5,2÷6A


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-US6M11TR
Fabricante:
     ROHM Semiconductor
N.º fabricante:
     US6M11TR
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistor SMD
Fabricante: ROHM SEMICONDUCTOR
Montaje: SMD
Carcasa: TUMT6
Tensión drenaje-fuente: 20/-12V
Corriente del drenaje: 1,5/-1,3A
Resistencia en estado de transferencia: 600mΩ/1,06Ω
Tipo de transistor: N/P-MOSFET
Poder disipado: 1W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Carga de puerta: 1,8/2,4nC
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±10V
Corriente del drenaje en impulso: 5,2...6A
Resumen de condiciones1
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* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
Nuestra oferta se orienta exclusivamente a empresas, profesionales y autónomos.