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Módulo; transistor individual; 100V; 590A; Y3-DCB; Idm: 2,36kA


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-VMO550-01F
Fabricante:
     IXYS
N.º fabricante:
     VMO550-01F
EAN/GTIN:
     Sin datos
Fabricante: IXYS
Carcasa: Y3-DCB
Estructura del semiconductor: transistor individual
Tiempo de disponibilidad: 300ns
Tensión drenaje-fuente: 100V
Corriente del drenaje: 590A
Resistencia en estado de transferencia: 2,1mΩ
Poder disipado: 2,2kW
Polarización: unipolar
Montaje eléctrico: atornillado;FASTON terminales
Montaje mecánico: atornillado
Tipo de módulo: transistor MOSFET
Propiedades de elementos semiconductores: derivación Kelvin
Carga de puerta: 2µC
Tecnología: HiPerFET™
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: 2,36kA
Resumen de condiciones1
Plazo de entrega
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Precio
a partir de € 343,50*
  
Precio válido a partir de 500 unidades
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Bruto
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€ 588,88
por unidad
a partir de 2 unidades
€ 415,42*
€ 502,66
por unidad
a partir de 4 unidades
€ 373,50*
€ 451,94
por unidad
a partir de 5 unidades
€ 364,77*
€ 441,37
por unidad
a partir de 10 unidades
€ 359,40*
€ 434,87
por unidad
a partir de 500 unidades
€ 343,50*
€ 415,64
por unidad
* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
Nuestra oferta se orienta exclusivamente a empresas, profesionales y autónomos.