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Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1kV; 2A; Idm: 8A; 60W


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-WMAA2N100D1-CYG
Fabricante:
     WAYON
N.º fabricante:
     WMAA2N100D1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistores
Fabricante: WAYON
Montaje: THT
Carcasa: TO251
Tensión drenaje-fuente: 1kV
Corriente del drenaje: 2A
Resistencia en estado de transferencia: 6,3Ω
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 60W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: tubo
Carga de puerta: 18nC
Tecnología: WMOS™ D1
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±30V
Corriente del drenaje en impulso: 8A
Otros conceptos de búsqueda: Transistor, transistor mosfet
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Nuestra oferta se orienta exclusivamente a empresas, profesionales y autónomos.