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Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 1,5kV; 4A; Idm: 16A; 125W


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-WMJ4N150D1-CYG
Fabricante:
     WAYON
N.º fabricante:
     WMJ4N150D1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistores
Fabricante: WAYON
Montaje: THT
Carcasa: TO247-3
Tensión drenaje-fuente: 1,5kV
Corriente del drenaje: 4A
Resistencia en estado de transferencia: 5,4Ω
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 125W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: tubo
Carga de puerta: 41nC
Tecnología: WMOS™ D1
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±30V
Corriente del drenaje en impulso: 16A
Otros conceptos de búsqueda: Transistor, transistor mosfet
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