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Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 26A; Idm: 90A; 350W


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-WMJ53N65F2-CYG
Fabricante:
     WAYON
N.º fabricante:
     WMJ53N65F2
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistores
Fabricante: WAYON
Montaje: THT
Carcasa: TO247-3
Tensión drenaje-fuente: 650V
Corriente del drenaje: 26A
Resistencia en estado de transferencia: 78mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 350W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: tubo
Precio unitario: No
Carga de puerta: 58nC
Tecnología: WMOS™ F2
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±30V
Corriente del drenaje en impulso: 90A
Otros conceptos de búsqueda: Transistor
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