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Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 600V; 60A; Idm: 350A; 460W


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-WMJ99N60F2-CYG
Fabricante:
     WAYON
N.º fabricante:
     WMJ99N60F2
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistores
Fabricante: WAYON
Montaje: THT
Carcasa: TO247-3
Tensión drenaje-fuente: 600V
Corriente del drenaje: 60A
Resistencia en estado de transferencia: 25,5mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 460W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: tubo
Carga de puerta: 174nC
Tecnología: WMOS™ F2
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±30V
Corriente del drenaje en impulso: 350A
Otros conceptos de búsqueda: Transistor, transistor mosfet
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