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Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 20A; Idm: 100A; 277W


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-WMM36N65F2-CYG
Fabricante:
     WAYON
N.º fabricante:
     WMM36N65F2
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistor SMD
Fabricante: WAYON
Montaje: SMD
Carcasa: TO263
Tensión drenaje-fuente: 650V
Corriente del drenaje: 20A
Resistencia en estado de transferencia: 0,11Ω
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 277W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Precio unitario: No
Carga de puerta: 46nC
Tecnología: WMOS™ F2
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±30V
Corriente del drenaje en impulso: 100A
Otros conceptos de búsqueda: Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd
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