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Transistor: N-MOSFET; WMOS™ D1; unipolar; 900V; 4A; Idm: 16A; 63W


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-WMM4N90D1B-CYG
Fabricante:
     WAYON
N.º fabricante:
     WMM4N90D1B
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistor SMD
Fabricante: WAYON
Montaje: SMD
Carcasa: TO263
Tensión drenaje-fuente: 900V
Corriente del drenaje: 4A
Resistencia en estado de transferencia: 1,85Ω
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 63W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Carga de puerta: 34nC
Tecnología: WMOS™ D1
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±30V
Corriente del drenaje en impulso: 16A
Otros conceptos de búsqueda: Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd
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