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Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 26A; Idm: 90A; 350W


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-WMM53N60C4-CYG
Fabricante:
     WAYON
N.º fabricante:
     WMM53N60C4
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistor SMD
Fabricante: WAYON
Montaje: SMD
Carcasa: TO263
Tensión drenaje-fuente: 600V
Corriente del drenaje: 26A
Resistencia en estado de transferencia: 70mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 350W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Carga de puerta: 58nC
Tecnología: WMOS™ C4
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±30V
Corriente del drenaje en impulso: 90A
Otros conceptos de búsqueda: Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd
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