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Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 4,8A; Idm: 19A; 57W


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-WMO10N60C4-CYG
Fabricante:
     WAYON
N.º fabricante:
     WMO10N60C4
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistor SMD
Fabricante: WAYON
Montaje: SMD
Carcasa: TO252
Tensión drenaje-fuente: 600V
Corriente del drenaje: 4,8A
Resistencia en estado de transferencia: 0,6Ω
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 57W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Carga de puerta: 9,6nC
Tecnología: WMOS™ C4
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±30V
Corriente del drenaje en impulso: 19A
Otros conceptos de búsqueda: Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd
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