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Transistor: N-MOSFET; WMOS™ F2; unipolar; 650V; 7,8A; Idm: 26A; 86W


Cantidad:  unidad  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-WMO15N65F2-CYG
Fabricante:
     WAYON
N.º fabricante:
     WMO15N65F2
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistor SMD
Fabricante: WAYON
Montaje: SMD
Carcasa: TO252
Tensión drenaje-fuente: 650V
Corriente del drenaje: 7,8A
Resistencia en estado de transferencia: 335mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 86W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Carga de puerta: 14,7nC
Tecnología: WMOS™ F2
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±30V
Corriente del drenaje en impulso: 26A
Otros conceptos de búsqueda: Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd
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