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Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 44A; 28W


Cantidad:  envase  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-YJG70G06A-YAN
Fabricante:
     YANGJIE TECHNOLOGY
N.º fabricante:
     YJG70G06A
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistor SMD
Fabricante: YANGJIE TECHNOLOGY
Montaje: SMD
Carcasa: DFN5060-8
Tensión drenaje-fuente: 60V
Corriente del drenaje: 44A
Resistencia en estado de transferencia: 9,5mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 28W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Precio unitario: No
Carga de puerta: 34nC
#Acciones #promocionales: aac_202202
Tecnología: SPLIT GATE TRENCH
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: 210A
Otros conceptos de búsqueda: Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd
Resumen de condiciones1
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a partir de 30000 envases
€ 1,01*
€ 1,2221
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* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
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