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Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3,2A; 1,2W


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Información de productos
Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3,2A; 1,2W
Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3,2A; 1,2W
N.º art.:
     6Q9VB-YJL3407A-YAN
Fabricante:
     YANGJIE TECHNOLOGY
N.º fabricante:
     YJL3407A
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
transistor mosfet
Fabricante: YANGJIE TECHNOLOGY
Montaje: SMD
Carcasa: SOT23
Tensión drenaje-fuente: -30V
Corriente del drenaje: -3,2A
Resistencia en estado de transferencia: 68mΩ
Tipo de transistor: P-MOSFET
Poder disipado: 1,2W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Carga de puerta: 6,8nC
Tecnología: TRENCH POWER LV
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: -15A
Resumen de condiciones1
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