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Transistor: P-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; -100V; -9,5A


Cantidad:  unidades  
Información de productos

N.º art.:
     6Q9VB-YJQ15GP10A-YAN
Fabricante:
     YANGJIE TECHNOLOGY
N.º fabricante:
     YJQ15GP10A
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Fabricante: YANGJIE TECHNOLOGY
Montaje: SMD
Carcasa: DFN3.3x3.3 EP
Tensión drenaje-fuente: -100V
Corriente del drenaje: -9,5A
Resistencia en estado de transferencia: 0,12Ω
Tipo de transistor: P-MOSFET
Poder disipado: 17,2W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Precio unitario: No
Carga de puerta: 3,98nC
#Acciones #promocionales: aac_202202
Tecnología: SPLIT GATE TRENCH
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: -45A
Resumen de condiciones1
Plazo de entrega
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Precio
a partir de € 0,148*
  
Precio válido a partir de 300.000 unidades
Cantidad de pedido mínima: 3 unidades
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€ 0,172*
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a partir de 300000 unidades
€ 0,148*
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* Los precios con asterisco son precios netos. Actualmente, no se realizan envíos a Canarias. * En caso de entrega en islas, pueden surgir costes adicionales, los cuales correrán a cargo del comprador.
Nuestra oferta se orienta exclusivamente a empresas, profesionales y autónomos.