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Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 100V; 7,6A


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Información de productos
Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 100V; 7,6A
Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 100V; 7,6A
N.º art.:
     6Q9VB-YJS12N10A-YAN
Fabricante:
     YANGJIE TECHNOLOGY
N.º fabricante:
     YJS12N10A
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
Transistor SMD
Fabricante: YANGJIE TECHNOLOGY
Montaje: SMD
Carcasa: SOP8
Tensión drenaje-fuente: 100V
Corriente del drenaje: 7,6A
Resistencia en estado de transferencia: 17mΩ
Tipo de transistor: N-MOSFET
Poder disipado: 3,3W
Polarización: unipolar
Clase de empaquetado: cinta;bobina
Carga de puerta: 80nC
Tecnología: SPLIT GATE TRENCH
Clase de canal: enriquecido
Tensión puerta-fuente: ±20V
Corriente del drenaje en impulso: 120A
Otros conceptos de búsqueda: Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd
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