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Power Transistor, NPN, 60V, TO-220


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Información de productos
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N.º art.:
     9RQRV-17100241
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     MJE3055TG
EAN/GTIN:
     Sin datos
Hoja de datos del artículo
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
Transistores
Transistor
Power Transistor, Type=MJE3055TG, Base Emitter Saturation Voltage Max. (Vbe(sat))=-999, Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat))=8 V, Collector-Base Voltage (Vcbo)=70 V, Collector-Emitter Voltage (Vceo)=60 V, Continuous Collector Current (Ic)=10 A, DC Current Gain (hFE)=5, Emitter-Base Voltage (Vebo)=5 V, Operating Temperature Max.=150 °C, Operating Temperature Min.=-55 °C, Pins=3, Power Dissipation (Pd)=75 W, Reflow Temperature Max.=260 °C, Transit Frequency=2 MHz, Configuration=Single, Mounting Type=Through Hole, Package Type=TO-220, Packaging=Tube, Transistor Polarity=NPN
Más información:
MERCATEO_WA_NR:
8541290000
Country of origin:
US
Customs tariff number:
8541290000
Height:
5 mm
Net weight:
2 g
Depth:
29 mm
Gross weight:
2 g
Width:
10 mm
Otros conceptos de búsqueda: transistor de potencia, Power Transistor
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Peak Electronic
DCA55T
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WAKEFIELD THERMAL
647-10-ABEP
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