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IGBT Module SEMITRANS 3 1.2 kV 2mA Half Bridge NPN


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Información de productos
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N.º art.:
     9RQRV-17100313
Fabricante:
     Semikron
N.º fabricante:
     SKM200GB126D
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Módulo IGBT
Módulos IGBT
Transistor de potencia
Transistores de potencia
IGBT Module, Type=SKM200GB126D, Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat))=2.1 V, Collector-Emitter Voltage (Vceo)=1.2 kV, Continuous Collector Current (Ic)=260 A, Emitter Leakage Current=2 mA, Energy Dissipation During Make-Time=18 mJ, Energy Dissipation During Turn-Off Time=24 mJ, Operating Temperature Max.=150 °C, Operating Temperature Min.=-40 °C, Pins=3, Power Dissipation (Pd)=-999, Channel Type=NPN, Configuration=Half Bridge, Mounting Type=Screw, Package Type=Module
Más información:
MERCATEO_WA_NR:
8541290000
Country of origin:
DE
Customs tariff number:
8541290000
Height:
34 mm
Net weight:
308,200 g
Depth:
109 mm
Gross weight:
308,2 g
Width:
64 mm
Otros conceptos de búsqueda: Tiristores, Tiristor, transistor de potencia, IGBT Module
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