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IGBT Module 2mA Half Bridge NPN


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Información de productos
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N.º art.:
     9RQRV-17101153
Fabricante:
     Semikron
N.º fabricante:
     SKM150GB12T4G
EAN/GTIN:
     Sin datos
Hoja de datos del artículo
Términos de búsqueda:
Módulo IGBT
Módulos IGBT
IGBT Module, Type=SKM150GB12T4G, Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat))=2.1 V, Collector-Emitter Voltage (Vceo)=1.2 kV, Continuous Collector Current (Ic)=223 A, Emitter Leakage Current=2 mA, Energy Dissipation During Make-Time=18.7 mJ, Energy Dissipation During Turn-Off Time=14.1 mJ, Operating Temperature Max.=175 °C, Operating Temperature Min.=-40 °C, Pins=3, Power Dissipation (Pd)=-999, Channel Type=NPN, Configuration=Half Bridge, Mounting Type=Screw, Package Type=Module
Más información:
MERCATEO_WA_NR:
8541290000
Country of origin:
SK
Customs tariff number:
8541290000
Height:
35 mm
Net weight:
362 g
Depth:
205 mm
Gross weight:
362 g
Width:
155 mm
Otros conceptos de búsqueda: IGBT Module
Resumen de condiciones1
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