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MOSFET, N-Channel, 60V, 310mA, SOT-23


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Información de productos
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N.º art.:
     9RQRV-30050336
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     2N7002ET1G
EAN/GTIN:
     Sin datos
Hoja de datos del artículo
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
MOSFET, Type=2N7002ET1G, Continuous Drain Current (Id)=310 mA, Drain-Source Voltage (Vds)=60 V, Fall Time=3.6 ns, Gate-Source Voltage=20 V, ON Resistance (Rds(on))=3 Ω, Operating Temperature Max.=150 °C, Operating Temperature Min.=-55 °C, Pins=3, Power Dissipation (Pd)=420 mW, Reflow Temperature Max.=260 °C, Rise Time=1.2 ns, Turn-OFF Delay Time=4.8 ns, Turn-ON Delay Time=1.7 ns, Configuration=Single, MSL=Level-1, Mounting Type=SMD, Package Type=SOT-23, Packaging=Tape & Reel, Transistor Polarity=N-Channel
Más información:
MERCATEO_WA_NR:
8541290000
Country of origin:
MY
Customs tariff number:
8541290000
Height:
2 mm
Net weight:
0,050 g
Depth:
8 mm
Gross weight:
0,05 g
Width:
5 mm
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