N.º art.: 9RQRV-30146494
N.º fabricante: 2N5401
EAN/GTIN: Sin datos
Bipolar Transistor, Type=2N5401, Base Emitter Saturation Voltage Max. (Vbe(sat))=1 V, Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat))=500 mV, Collector-Base Voltage (Vcbo)=160 V, Collector-Emitter Voltage (Vceo)=150 V, Continuous Collector Current (Ic)=600 mA, DC Current Gain (hFE)=240, Emitter-Base Voltage (Vebo)=5 V, Operating Temperature Max.=150 °C, Operating Temperature Min.=-55 °C, Pins=3, Power Dissipation (Pd)=625 mW, Reflow Temperature Max.=260 °C, Transit Frequency=400 MHz, Configuration=Single, Mounting Type=Through Hole, Package Type=TO-92, Packaging=Ammo Pack, Transistor Polarity=PNP
Más información:
MERCATEO_WA_NR:
8541100000
Country of origin:
CN
Customs tariff number:
8541100000
Height:
3 mm
Net weight:
0,480 g
Depth:
17 mm
Gross weight:
0,48 g
Width:
4 mm
Otros conceptos de búsqueda: Bipolar Transistor
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