N.º art.: 9RQRV-30146617
N.º fabricante: BC857C
EAN/GTIN: Sin datos
Bipolar Transistor, Type=BC857C, Base Emitter Saturation Voltage Max. (Vbe(sat))=900 mV, Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat))=650 mV, Collector-Base Voltage (Vcbo)=50 V, Collector-Emitter Voltage (Vceo)=45 V, Continuous Collector Current (Ic)=100 mA, DC Current Gain (hFE)=520, Emitter-Base Voltage (Vebo)=5 V, Operating Temperature Max.=150 °C, Operating Temperature Min.=-55 °C, Pins=3, Power Dissipation (Pd)=250 mW, Reflow Temperature Max.=260 °C, Transit Frequency=100 MHz, Configuration=Single, MSL=Level-1, Mounting Type=SMD, Package Type=SOT-23, Packaging=Tape & Reel, Transistor Polarity=PNP, Automotive Qualification Standard=AEC-Q101
Más información:
MERCATEO_WA_NR:
8541100000
Country of origin:
CN
Customs tariff number:
8541100000
Height:
2 mm
Net weight:
0,010 g
Depth:
8 mm
Gross weight:
0,01 g
Width:
5 mm
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